При приложении к образцу арсенида индия сильного СВЧ поля наблюдалось остаточное напряжение в течение нескольких микросекунд после окончания СВЧ импульса. В экспериментах использовались образцы из эпитаксиального n-InAs на n⁺-подложке с линейными и симметричными вольтамперными характеристиками. Постоянное напряжение на образце в несколько десятков милливольт, возникающее во время СВЧ импульса, объясняется термоэдс горячих носителей заряда, а также ЭДС Дембера при возникновении СВЧ пробоя. Природа остаточной ЭДС не установлена, и предполагается, что этот новый эффект обусловлен самоподдерживающимся неоднородным распределением горячих носителей в электронно-дырочной плазме, подобным автосолитону, теоретически предсказанному Б. С. Кернером и В. В. Осиповым.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.