Теоретически исследовано влияние инверсионного слоя (ИС) на туннельную прозрачность (ТП) при межзонных переходах в полупроводнике МДП структуры при неравновесном обеднении. Показано, что в достаточно узкозонных полупроводниках, когда длина межзонного туннелирования становится соизмеримой с толщиной ИС, ТП ведет себя нетривиально: при увеличении поверхностной плотности ИС ТП сначала возрастает, а затем убывает; с ростом температуры ТП возрастает. Этот эффект приводит к немонотонным зависимостям от времени токов туннельной полевой генерации при образовании ИС в режиме неравновесного обеднения. В частности, на кривых релаксации тока появляется всплеск. Получены простые аналитические выражения для расчета ТП, приведены численные расчеты тока туннельной генерации для МДП структур с различными параметрами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.