Проведен анализ рефрактометрических параметров полупроводников в области их оптической прозрачности, в том числе показателя преломления n, дисперсии dn/dlambda, температурного коэффициента dn/dT. Сопоставлены различные подходы к теоретическому описанию рефрактометрических свойств полупроводников. Подробно рассмотрены полуэмпирические методы расчетов n(homega), основанные на использовании дисперсионных соотношений Крамерса-Кронига, где диэлектрическая функция varepsilon₂(homega) аппроксимируется с учетом особенностей зонной структуры конкретных материалов. В рамках этих методов обобщены экспериментальные данные для более чем 30 распространенных полупроводников A^IV, A^IIIB^V, A^IIB^VI, а также их трех- и четырехкомпонентных твердых растворов. Обсуждается влияние примесей и свободных носителей заряда на рефрактометрические параметры. Дается обзор фотоупругих, электрооптических и магнитооптических свойств полупроводников, рассматриваются эффекты нелинейной рефракции. В удобном для инженерных расчетов виде приведен обширный материал справочного характера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.