Сообщается о получении модифицированным методом жидкофазной эпитаксии InGaAsP/GaAs-лазеров раздельного ограничения, пороговые плотности тока в которых являются наиболее низкими из наблюдавшихся когда-либо для инжекционных лазеров (300 K). По мощности непрерывного излучения (~1.7 Вт) и КПД преобразования электрической энергии в световую (59% с учетом излучения на два зеркала) эти лазеры находятся на уровне лучших AlGaAs/GaAs-лазеров, изготовленных методом молекулярной или газофазной эпитаксии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.