Экспериментально исследован обнаруженный ранее эффект перестройки светом шума типа 1/f в чистом эпитаксиальном GaAs. Изучены спектральные и температурные характеристики эффекта. Показано, что эффект возникает благодаря зона-зонному переходу носителей или переходу мелкий акцептор-зона проводимости. Сделан вывод об ответственности за эффект дырок, возникающих в кристалле при освещении. Высказано предположение о том, что шум 1/f в чистом GaAs при величине параметра Хоуге alpha~8·10^-5/10^-3 обусловлен суперпозицией генерационно-рекомбинационных процессов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.