Подробно исследован эффект отрицательной фотопроводимости (ОФП) в гетероструктурах GaAs-AlGaAs с двумерным электронным газом, связанный с пространственным оптическим перебросом электронов из высокоподвижного двумерного канала в слой широкозонного материала. Из спектральных зависимостей эффекта определены высота потенциального барьера на гетерогранице, величина энергетического разрыва зоны проводимости Delta E_c=(0.59±0.01)Delta E_g, что неплохо согласуется с результатами других авторов. Предложена феноменологическая модель ОФП, которая хорошо описывает экспериментальные результаты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.