Предлагается новый метод определения коэффициента биполярной диффузии неравновесных носителей заряда (ННЗ) в полупроводниках, основанный на рассмотрении стационарного уравнения, нелинейность которого задается произвольными зависимостями темпа объемной рекомбинации r и коэффициента биполярной диффузии D от концентрации n. Приводятся результаты использования метода для измерения зависимости D (n) в антимониде индия в диапазоне концентраций ННЗ n=10¹⁷/1.6·10¹⁸ см^-3. Обсуждаются возможные причины аномально сильного роста D(n): D~ n от D = 36 до D=500 см²/с в InSb и результаты обработки экспериментальных данных других работ, полученных для Те и Cd_xHg_1-xTe. Метод может оказаться полезным для определения D (n) в условиях одновременного проявления нелинейной рекомбинации, диффузии, вырождения ННЗ, электронно-дырочного рассеяния, непараболичности зоны проводимости, особенно характерных для узкозонных полупроводников.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.