С целью количественной проверки теории люминесценции сильно легированных компенсированных полупроводников выполнены экспериментальные исследования спектров фотолюминесценции p-n-структур GaAs<Si> при контролируемых температуре (64/300 K), уровне возбуждения (10¹⁷/10²⁰ фот/см²·с), степени компенсации (0/1) и уровне легирования [(1/7)·10¹⁸ см^-3], а также расчеты спектров излучения. Показано соответствие теории эксперименту. Установлено, что в сильно компенсированном материале излучение связано с переходами TT- и BT-типа, причем вклад последних увеличивается с ростом температуры, уровня возбуждения и обусловлен распределением дырок в хвосте валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.