Приводятся результаты исследований радиационной деградации фотоэлектрических параметров AlGaAs-гетероструктур при облучении протонами с энергией 6.7 МэВ. Определены значения коэффициента повреждения длины диффузионного смещения дырок в n-GaAs, составившие ~2·10^-4. Показано, что повышенная радиационная стойкость обеспечивается в структурах с толщиной фотоактивного слоя p-GaAs в диапазоне 0.3/1.0 мкм, а также при пропускании в процессе облучения через структуру прямого тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.