Путем измерения методом DLTS профилей концентрации A-центров, формирующихся в базе диодов Шоттки при облучении их электронами на импульсном ускорителе в условиях импульсного смещения диодов в обратном направлении, определены характерные времена t_хар формирования неоднородного распределения дефектов под действием электрического поля. Зависимость t_хар от параметров ОПЗ подтверждает дрейфовую модель происхождения профилей концентрации дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.