Освещены новейшие достижения в области создания униполярных транзисторов, использующих поперечный перенос горячих электронов через базу. Описаны различные типы таких транзисторов, в которых для создания необходимого потенциального рельефа применяются либо специальное планарное легирование, либо тонкослойные гетероструктуры. Наряду с приборами традиционного типа рассмотрены конструкции, дополненные туннельно-резонансными элементами. Описано применение и тех, и других для физических исследований, в частности для спектроскопии функции распределения горячих электронов в базе транзистора. Кратко представлено состояние теории электронных процессов в таких приборах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.