Методами люминесценции и резерфордовского обратного рассеяния исследованы кристаллы имплантированного GaAs, подвергнутые отжигу наносекундными импульсами рубинового лазера. Установлено, что точечные имплантационные дефекты, проникающие ввиду их большой подвижности в GaAs далеко за пределы области, подвергнутой непосредственному воздействию ионной имплантации (аморфизованной), оказывают определяющее влияние на свойства полученных в результате имплантации и лазерного отжига кристаллов в результате обратной диффузии к поверхности за фронтом кристаллизации переплавленного лазером слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.