Анализируются особенности спектров фотолюминесценции (ФЛ) и фотопроводимости (ФП), снятых при 4.2-60 K, кристаллов GaSe стехиометрического состава, выращенных с избытком и недостатком атомов Ga. Изучено влияние импульсного излучения многомодового рубинового лазера на спектры ФЛ и ФП таких кристаллов. Показано, что наличие в матрице кристаллов GaSe избыточных атомов Se приводит к образованию центров, на которых связываются триплетные экситоны. Избыточные атомы Ga, образующиеся в кристалле как в процессе его роста, так и под действием лазерного облучения, создают области с другим политипным составом (gamma-модификацию). В спектрах ФЛ и ФП таких кристаллов проявляются свободные экситоны, соответствующие данной модификации. Показано, что наличие таких областей (gamma-политипа) создает дефекты упаковки, на которых происходит локализация возбужденных экситонных состояний (n>1).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.