На основе теории протекания рассмотрено магнитосопротивление n-Ge в области прыжковой проводимости. С помощью ЭВМ вычислена зависимость показателя экспоненты магнитосопротивления от направления магнитного поля по отношению к кристаллическим осям, обусловленная анизотропией волновых функций доноров. Проведено сравнение результатов расчета с экспериментальными данными в широком диапазоне магнитных полей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.