Исследовано влияние гидростатического давления на сопротивление эпитаксиальных слоев GaAs, легированных серой. Изучались слои с концентрацией электронов 10¹⁵/5·10¹⁸ см^-3 Анализировалось изменение барочувствительности сопротивления в зависимости от давления и концентрации электронов в эпитаксиальном слое. Показано, что при всестороннем сжатии присутствие ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях приводит к возникновению касательных напряжений (эффект анизотропии сжатия) и, как следствие, к изменению барических зависимостей сопротивления по сравнению с бездефектными слоями. Сравнивались экспериментальные результаты с расчетными данными, полученными для трехзонной модели арсенида галлия. Хорошее согласие расчета и эксперимента наблюдается для случая бездефектных эпитаксиальных слоев. Проведена количественная оценка касательных напряжений в эпитаксиальных слоях с ростовыми дефектами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.