Предложена модель нестационарных процессов двойной инжекции в полупроводниках в условиях насыщения скоростей дрейфа электронов и дырок. Получены аналитические выражения изменения напряжения, концентраций и полей во времени при постоянном и линейно нарастающем токе через структуры. В случае линейного нарастания тока возможно возникновение колебаний напряжения с периодом в два пролетных времени подвижных носителей заряда через объем полупроводника с насыщенной скоростью T=2tau_s=2W/v_s. Приведены результаты экспериментов по двойной инжекции для кремниевых диодов при насыщенных скоростях дрейфа электронов и дырок. Характерное время спада напряжения на диоде в подобном режиме равно пролетному времени tau_s. Проведенный численный расчет двойной инжекции в исследуемых режимах подтвердил справедливость теоретической модели и хорошо совпал с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.