Показано, что при низких токах пробоя на вольтамперных характеристиках (ВАХ) кремниевых p⁺-n-n⁺-диодов могут наблюдаться участки малого отрицательного наклона; отрицательное дифференциальное сопротивление (ОДС) на этих участках обусловлено значительным различием коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в кремнии. В тонких p⁺-n-n⁺-диодах величина плотности тока, с которой начинается область ОДС на ВАХ, растет с уменьшением длины n-базы l_n, область ОДС исчезает только при l_n=0.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.