Исследованы закономерности поведения центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs, выращенных с разным отклонением от стехиометрического состава при термообработке в режимах, близких к постимплантационному отжигу. Обнаружено существенное влияние отклонения от стехиометрии и легирования индием на однородность распределения центров EL2 в объеме монокристаллов и их термостабильность. Выявлены закономерные изменения концентрации центров EL2 и повышение однородности их распределения в результате термообработки. Обсуждается природа наблюдаемых явлений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.