Теоретически изучена релаксация энергии и импульса горячих электронов при испускании оптических фононов. Энергии горячих электронов в базе транзистора образуют совокупность нескольких эквидистантных "уровней". Для функций распределения электронов на этих уровнях получена система кинетических уравнений, позволяющая рассчитать коэффициент усиления транзистора по току с учетом двух механизмов прохождения базы - баллистического транспорта и диффузионного выноса остывших носителей. Показано, что наблюдаемые высокие значения коэффициента усиления объясняются лишь при учете обоих механизмов, причем главная роль принадлежит диффузионному выносу. Показано, что очень важен разрыв в валентной зоне на гетерогранице эмиттер-база. Только при 40%-м разрыве можно теоретически наблюдать высокие значения коэффициента усиления, при 15%-м разрыве теоретическое значение было бы на порядок меньше экспериментального ввиду большого тока инжекции дырок из базы в эмиттер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.