Исследовано явление самокомпенсации в РbТе, легированном Tl и избытком Рb. Показано, что экспериментальные данные удается согласовать с теорией, если предположить, что компенсация легирующего действия Tl осуществляется не только одиночными двукратно ионизованными вакансиями теллура, но и путем образования комплексов типа ион примесивакансия Те с энергией связи Deltavarphi_к~0.5 эВ при 650^oС. Электрофизические свойства компенсированных образцов характеризуются наличием ряда особенностей, свидетельствующих в пользу существования в образцах p-типа резонансного уровня в валентной зоне с энергией ~0.1 эВ и локального уровня под дном зоны проводимости с энергией ~0.1 эВ в образцах n-типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.