Развита теория межзонного многофотонного поглощения во внешнем однородном электрическом поле E в полупроводниках типа А^IIIВ^V с вырожденной валентной зоной, содержащей подзоны легких и тяжелых дырок. Получены аналитические выражения для вероятностей s-фотонных переходов из валентной зоны в зону проводимости. Исследованы случаи параллельной и взаимно перпендикулярной ориентаций поля E и электрического поля сильной световой волны F₀cos wt. Изучены зависимости поглощения от интенсивности ~ F²₀ и частоты omega поглощаемого света, от напряженности поля E, а также от параметров электронной и дырочной зон. Основное внимание уделено различию вкладов легких и тяжелых дырок в отдельные области спектра нечетно- и четно-фотонного поглощения. Обнаружен продольно-поперечный дихроизм многофотонного электропоглощения в рассмотренных алмазоподобных полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.