Получены аналитические выражения спектральной зависимости излучения, возникающего при рекомбинации носителей на бинарных комплексах дефектов, с учетом электрон-фононного взаимодействия. Определены спектральные характеристики сечения фотоионизации комплексов дефектов в полупроводниках. Обнаружено, что формы линий излучения и поглощения комплекса близко расположенных дефектов в полупроводниках качественно отличаются от линий изолированных дефектов и DA-пар. Проведено сравнение теоретических результатов с экспериментом на примере краевого излучения CdS.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.