Исследовано влияние энергии возбуждения в области энергий квантов 1.04/2.5 эВ на температурное гашение фотопроводимости в гидрогенизированном аморфном кремнии (a-Si : Н) Измерения проведены на пленках нелегированного a-Si : Н, полученного методом разложения моносилана в ВЧ тлеющем разряде. Измерения показали, что отношение максимальной к минимальной величине фотопроводимости (sigma^max_ф/sigma^min_ф) в области температурного гашения уменьшается при уменьшении энергии кванта до hnu~1.6 эВ. При дальнейшем уменьшении hnu величина sigma^max_ф/sigma^min_ф изменяется слабо и спадает при hnu< 1.3 эВ. Для hnu< 1.1 эВ температурного гашения фотопроводимости не наблюдается. Анализ зависимостей величины sigma^max_ф и температуры наблюдения T_max от интенсивности возбуждения указывает на возможность существования двух типов состояний, определяющих температурное гашение в a-Si : Н. Данные состояния расположены на расстоянии ~0.35 и 0.65/0. 75 эВ от валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.