Исследована деформация поверхности полупроводника при его облучении сфокусированным светом с модулированной интенсивностью. Деформация обусловлена выделением тепла при поглощении света, а также действием генерированных светом электронов и дырок на решетку через деформационный потенциал. Найдены условия, при которых механизм деформационного потенциала оказывается преобладающим. При низких частотах модуляции области действия теплового и электронного механизмов деформации разделены в пространстве. В этом случае в полупроводниках с отрицательной константой деформационного потенциала (например, в Si) возникают немонотонные профили распределения амплитуды смещения поверхности вдоль радиуса от центра луча.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.