Проведено систематическое исследование влияния пластической деформации на фотомагнитный эффект (ФМЭ) и фотопроводимость (ФП) в кристаллах Cd_xHg_1-xTe (x=0.19-0.21). Показано, что влияние деформации на указанные эффекты принципиально различно для образцов n- и p-типа проводимости. Особенности ФМЭ и ФП, а также результатов холловских измерений в деформированных кристаллах интерпретированы в рамках единой модели неоднородного полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.