Исследовано влияние нейтронного и gamma-облучения на фотоэлектрические характеристики фоточувствительных структур на основе слоистых монокристаллов p-GaSe. Обсуждаются схема энергетических уровней (рекомбинации, свечения и прилипания), механизмы термического гашения и активации фототока в базовой области структур. Радиационное фотоочувствление при малых дозах связано с преимущественным образованием пар дефектов по подрешетке Ga и Se - центров фоточувствительности и прилипания (глубокие компенсированные доноры и мелкие акцепторы соответственно).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.