Измерены вольтамперные характеристики большого числа слабо легированных и слабо компенсированных образцов Si n- и p-типа в области прыжковой проводимости с постоянной энергией активации varepsilon₃. Оказалось, что электропроводность экспоненциально растет с ростом электрического поля, что удается качественно объяснить эффектом уменьшения энергии отрыва носителей от заряженных компенсирующих примесей, аналогичным эффекту Френкеля-Пула. Построена теория, позволяющая вычислить число оторванных носителей с учетом перераспределения их между 1- и 2-комплексами. Хотя экспериментальные зависимости электропроводности от поля и температуры удовлетворяют предсказанному теорией скэйлингу, количественное согласие между экспериментом и теорией отсутствует.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.