В области температур 1.6/4.2 K в кристаллах n-ZnSe изучалась зависимость электропроводности от напряженности электрического поля в умеренно сильных электрических полях. Найдено, что эффективная длина неомичности сравнима с длиной прыжка в омическом режиме или несколько превышает ее. Сделано предположение, что в исследованных кристаллах имеет место проводящая сетка с радиусом корреляции, превышающим длину прыжка в омическом режиме, и что рост электропроводности с нолем связан в большей степени с изменением проводимости ключевых сопротивлений, нежели с изменением путей протекания. Зависимость эффективной длины неомичности от температуры указывает на существование кулоновской щели в спектре плотности локализованных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.