Исследованы край оптического поглощения alpha(homega), электропоглощение Deltaalpha(homega) и температурная зависимость проводимости sigma(T) аморфных пленок As₂Se₃Bi_x (x=0.001, 0.01 и 0.1), полученных термическим напылением. Обнаружено отклонение спектра alpha(homega) от правила Урбаха, связанное с присутствием Bi в As₂Se₃ и свидетельствующее о микрогетерогенности структуры исследованных пленок. При измерениях sigma(T) вблизи T_alpha~130^oС наблюдались необратимый рост проводимости и уменьшение ее энергии активации до величины, соответствующей аморфным пленкам Bi₂Se₃. Развиты представления о примесной проводимости в сильно компенсированном полупроводнике, где роль компенсирующей примеси играют собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией (U<0), типичные для стеклообразных халькогенидов. На основании совокупности экспериментальных данных сделан вывод о том, что термически напыленные пленки As₂Se₃Bi_x содержат кластеры, обогащенные Bi, определяющие примесный (дырочный) характер проводимости. Изменение sigma(T) при отжиге связывается с уменьшением степени компенсации примесных центров в кластерах собственными дефектами основной матрицы аморфной пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.