Теоретически и из сопоставления с экспериментом (исследовались при T=4.2/100 K МОП структуры на основе бесщелевого полупроводника Hg_0.875Cd_0.l25Te) показана необходимость учета размерного квантования при анализе емкостных характеристик приповерхностных слоев в кейновских полупроводниках. В области положительных изгибов зон получены универсальные аналитические аппроксимации для дифференциальной емкости классической и квантованной приповерхностных потенциальных ям. Из значений емкости в квантующих магнитных полях и анализа полевых зависимостей магнитоосцилляций емкости определены плотность состояний в магнитном поле и уширение уровней Ландау.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.