Показано, что при облучении РbТе ионами аргона преимущественно создаются но разупорядоченные области, а точечные радиационные дефекты донорного типа, изменяющие электрические свойства материала на глубинах, значительно превышающих проективный пробег. Определено энергетическое положение соответствующего дефектам квазилокального уровня, стабилизирующего при больших дозах положение уровня Ферми и концентрацию электронов проводимости. Установлено, что послеимплантационный отжиг при 300^oС возвращает свойства пленок к исходным.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.