Исследованы эффект Холла, фотолюминесценция и оптическое поглощение в кристаллах CdTe, легированных фосфором в процессе выращивания. Оценены концентрация мелкого акцептора, связанного с Р_Те (N=5·10¹⁷ см^-3), степень компенсации (K=N_D/N_A=0.8) и энергия ионизации, полученная с учетом влияния крупномасштабных флуктуации потенциала (varepsilon=0.06 эВ). Оптическая энергия ионизации центров Р_Те (varepsilon₀=0.07 эВ) и их концентрация были получены также из спектров оптического поглощения для переходов электронов с заполненных уровней Р_Те в зону проводимости и для переходов дырок из отщепленной валентной зоны на незаполненные уровни Р_Те. Отжиг при 500^oС привел к уменьшению почти на порядок концентрации центров Р_Те, увеличению степени компенсации и к появлению глубокого уровня E_v+1.2 эВ, связанного с центром, включающим Р. Предполагается, что наблюдаемые изменения связаны с образованием комплексов Р с донорными дефектами (междоузельным Cd_i или Р_Сd), а также с переходом части атомов Р из акцепторного состояния (Р_Те) в донорное (P_Cd). Сделан вывод, что с помощью равновесных термообработок не удается получить достаточно низкоомные кристаллы p-типа; перспективными представляются неравновесные способы: ионное легирование с последующим лазерным или электронным отжигом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.