Изучено влияние термообработки в протоке Н₂ и под расплавом Ga-Al-As на распределение интенсивности микрокатодолюминесценции (J_МКЛ) по толщине слоев и спектры фотолюминесценции (ФЛ) легированных Sn или Те гомоэпитаксиальных слоев (ЭС) GaAs, полученных методом ЖФЭ. Были изучены слои толщиной h~80, 60, 45 и 30 мкм, полученные путем химического утоньшения всей поверхности структуры или ступеньками. Показано, что термообработка в протоке Н₂ приводит к существенному (в 4-10 раз) падению Jмкл по всей толщине слоя с h > 40 мкм, при этом в ЭС, легированных Sn, это падение значительно сильнее, чем при легировании Те. В ЭС, легированных Sn, с h<40 мкм изменение J_МКЛ существенно меньше. Термообработка под расплавом Ga-Al-As приводит к восстановлению J_МКЛ в областях, примыкающих к поверхности ЭС и к подложке, в ЭС, легированных Sn. В ЭС, легированных Те, восстановления J_МКЛ не происходит после такой термообработки. Полученные результаты объясняются с позиции влияния типа и концентрации собственных точечных дефектов структуры, а также их диффузии и взаимодействия в процессе различных термообработок на рекомбинационные параметры эпитаксиальных слоев GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.