Исследованы процессы тушения и регенерации фотопроводимости в твердых растворах Si-Ge, содержащих центры Аu⁰ и донорно-акцепторные пары Р⁺-Аи^-. Полученные результаты объясняются в рамках модели глубокого центра с локальной отрицательной корреляционной энергией, туннелирующего при перезарядке между позициями off-центра и узлом решетки. Показано, что тушение и регенерация фотопроводимости определяются пиннингом уровня Ферми вблизи поверхности кристалла и динамикой туннелирования центров золота, которая в условиях внешнего и внутреннего электрических полей зависит от величины штарк-эффекта на глубоком дефекте.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.