Представлены результаты исследований электрических и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов In_0.53Ga_0.47As, легированных рением. Показано, что по сравнению с нелегированными слоями эти растворы характеризуются улучшенными электрическими и люминесцентными свойствами. При легировании материала рением наблюдаются возрастание подвижности, уменьшение степени компенсации, изменение структуры спектра фотолюминесценции и увеличение ее интенсивности уже при малых уровнях легирования. Обсуждаются возможные варианты трактовки отмеченных особенностей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.