Приведены результаты исследования емкостных характеристик образцов Аl-As₂Se₃-Аl квазистатическим методом. Полученные данные свидетельствуют о том, что только в области малых dV/dt емкость образца определяется емкостью барьера. Оценена высота барьера на границе Аl-As₂Se₃ и открыта возможность применения емкостной спектроскопии для изучения электронных состояний в ХСП.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.