Изучено изменение концентрации носителей заряда при облучении gamma-квантами ⁶⁰Co (температура облучения 195, 273, 330 K) зонных кристаллов кремния с равновесной концентрацией электронов n₀=(1.3/80)·10¹² и дырок p₀=(5/30)·10¹¹ см^-3. Показано, что в высокоомных кристаллах n-типа с n₀ <1·10¹³ см^-3 в отличие от кремния p-типа и n-кремния с n₀>1·10¹³ см^-3 начальная скорость удаления носителей заряда существенно зависит от температуры облучения. Полученные экспериментальные результаты объясняются одновременным изменением степени заполнения уровня E-центра и скорости его введения при изменении положения уровня Ферми. Последнее происходит за счет изменения вероятности аннигиляции пар Френкеля в зависимости от зарядового состояния вакансии (V) и междоузельного атома кремния (I), которое определяется положением уровня Ферми и зависит от температуры облучения. Проведенный расчет радиусов захвата V и I при их различных зарядовых состояниях подтвердил полученные экспериментально результаты и сделанное предположение о наличии вблизи середины запрещенной зоны уровней, разделяющих состояния I⁰/I⁺⁺ и V^-/V⁰.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.