Исследована динамика формирования слоев p-Si при облучении поверхности кремния (T=600^oС) мощными импульсными потоками эрозионной лазерной плазмы бора (В). Обнаружен эффект радиационного ускорения диффузии В в глубь Si. Исследована динамика легирования облученных структур при отжиге. Установлен ряд особенностей легирования Si из сверхтонкого пленочного источника, связанных с влиянием слоя естественного окисла кремния и атмосферы отжига. Определена зависимость поверхностной концентрации носителей от дозы облучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.