Методами Ван-дер-Пау, токовой нестационарной спектроскопии глубоких уровней, а также модуляционным, основанном на облучении образца пучком электронов и монохроматическим ИК светом, исследуется механизм компенсации многослойных структур на основе нелегированного GaAs, выращенного методом жидкофазной эпитаксии, в зависимости от температуры начала кристаллизации. Показано, что при T_{н кр}=700-800^oС на p⁺-GaAs : Zn происходит рост n⁰-слоя, в компенсации которого помимо мелкой фоновой примеси принимают участие акцепторные глубокие уровни (ГУ) HL2 и HL5. При увеличении T_{н кр}>800^oC происходит образование p⁺-p⁰-i-n⁰-структур, в компенсации которых наряду с акцепторными дефектами и примесями с ГУ участвуют донорные ГУ дефекта, подобного EL2. Проведенная термообработка структур в диапазоне 500-850^oС показала их высокую термостабильность.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.