Приведены результаты исследований пьезо-холл-эффекта в p-кремнии, легированном бором (Si<В>), индием (Si<In>) и облученном электронами (Si<е>). Зависимости постоянной Холла от величины одноосной нагрузки в Si<В> объясняются с учетом перераспределения легких и тяжелых дырок и изменения их эффективных масс. Получены изменения положения уровня Ферми при одноосной деформации кристаллов Si<In> и Si<e>, поведение которых интерпретируется для Si<In>расщеплением уровня индия при снятии электронного вырождения, а в Si<e> - расщеплением уровня дефекта E_v+30 эВ вследствие снятия ориентационного вырождения и конфигурационной перестройки дефекта. Определены скорости смещения компонент расщепления энергетических уровней дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.