Для расплавов полупроводников на основе имеющихся экспериментальных данных установлена линейная зависимость между магнитной восприимчивостью chi и электропроводностью sigma^1/2 (chi=± c± Bsigma^1/2). Теоретически показано, что это соотношение выполняется для металлов, вырожденных полупроводников и расплавов, металлизующихся при плавлении. Анализ полученного соотношения совместно с экспериментальными данными по электропроводности и магнитной восприимчивости показали, что зависимость плотности электронных состояний N(varepsilon) сильно отличается от N₀(varepsilon) нулевого приближения теории свободных электронов, представляя собой кривую с минимумом или кривую, имеющую точку перегиба вблизи энергии Ферми, причем для каждого из рассмотренных случаев dsigma/dT > 0, dchi/dT >0 и dsigma/dT<0, dchi/dT>0 уровень Ферми лежит на убывающей ветви зависимости N(varepsilon) . Установленная линейная взаимосвязь chi=f(sigma^1/2) позволяет сделать определенные выводы относительно зависимости плотности электронных состояний в расплавах исследованных веществ от энергии. Полученное соотношение носит, на наш взгляд, фундаментальный характер и может быть использовано при анализе экспериментальных данных по магнитной восприимчивости и электропроводности и для других полупроводниковых систем с вырожденным электронным газом, в частности для аморфных и стеклообразных полупроводников.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.