Исследована излучательная рекомбинация (ИР) на дефектах структуры в исходном и ядерно легированном (ЯЛ) Si<Ge>, создаваемых электронным облучением и последующим отжигом. Обнаружен ряд новых центров ИР, предположительно включающих в свой состав атомы Ge. Различия в спектрах ИР исходных и ЯЛ образцов интерпретируются как результат внутреннего геттерирования примесей в процессе ЯЛ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.