Рассчитаны спектры оптического усиления одноосно деформированных полупроводников типа GaAs. Исследовано влияние деформации на поляризационную стабильность РОС гетеролазеров на основе InGaAsP/InP. Найдены области поляризационной стабильности в случае одноосного сжатия и показано, что они очень чувствительны к величине порогов генерации TM- и TE-мод резонатора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.