Установлено, что имплантация ионов серебра и меди в сочетании с диффузионным термическим отжигом позволяет управлять электрическими свойствами кристаллов n-Cd_xHg_1-xTe. В зависимости от дозы имплантации ионов можно достичь снижения концентрации электронов вплоть до инверсии типа проводимости n-> p. Определена величина коэффициента использования ионов меди и серебра f=0.5±0.1. Показано, что в результате имплантации и диффузионного отжига кристаллов Cd_xHg_1-xTe наряду с акцепторными образуются и нейтральные рассеивающие центры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.