Теоретически изучена зависимость емкости от напряжения для диода Шоттки, у которого полупроводниковая основа содержит изотипный гетеропереход, а металлический контакт граничит с широкозонным слоем. Показано, что на вольтъемкостной характеристике будет непременно присутствовать горизонтальный участок, названный нами "моттовским" плато. На протяжении плато широкозонный слой полностью истощен, а в узкозонной толще имеется тонкая область аккумуляции свободных носителей, так что с изменением напряжения изменяется лишь заряд этой области. В материале n-типа ширина плато шкале напряжений пропорциональна квадратному корню из величины разрыва зоны проводимости на гетеропереходе. В интервале плато изучаемая структура подобна барьеру Мотта металл-изолирующий полупроводник-легированный полупроводник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.