Исследовано влияние профиля состава и легирования селективно легированных гетероструктур GaAs/n-(Al, Ga)As на характеристики эффекта нестационарной фотопроводимости (НФП) при T=77 K. Показано существование двух механизмов, приводящих к достижению стационарного состояния после выключения освещения при низких температурах: туннелирования электронов из двумерного канала на глубокие уровни в (Al, Ga)As : Si и рекомбинации электронов с акцепторными центрами в арсениде галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.