При температурах 4.2-130 K методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней изучены глубокие центры в монокристаллах n-InSb и p-InSb, легированных Ge, а также тонких слоях n-InSb, выращенных на сапфировых подложках направленной кристаллизацией расплава. Определены основные параметры глубоких центров для данных типов кристаллов и сделаны некоторые предположения относительно их природы. Разброс параметров глубоких центров в тонких слоях n-InSb объяснен неоднородностью механических напряжений, обусловленных различием коэффициентов термического расширения тонкого слоя n-InSb и сапфира.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.