Изучалось влияние примеси германия на образование и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов (РД) в выращенном методом Чохральского монокристаллическом кремнии p-типа (rho= 10 Ом·см). Результаты получены из анализа температурных зависимостей концентрации основных носителей заряда в контрольных и легированных германием до концентрации ~=5·10¹⁸ см^-3 кристаллах на различных этапах облучения gamma-квантами ⁶⁰Со и последующего изохронного отжига. Установлено, что при облучении образуются два РД с близкими уровнями [E_v+ (0.31±0.02) и =< E_v+0.35 эВ], различающиеся температурой отжига, а соотношение между их концентрациями зависит от наличия германия в кристаллах, Предполагается, что первыми из них являются комплексы углерод-кислород-дивакансия, а вторыми - междоузельный углерод-междоузельный кислород. Особенности накопления и отжига этих РД в p-Si<Ge> объяснены с учетом влияния создаваемых атомами германия упругих напряжений на локализацию в кристаллах примесей углерода и кислорода, диффузию первичных РД при облучении и энергию активации отжига РД.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.