Разработана теоретическая модель инжекционно-стимулированного преобразования дефектов в светоизлучающих GaAs : Si-структурах. Показано, что немонотонная кинетика изменения эффективности свечения структур в условиях инжекции: может быть хорошо описана на основе представлений о рекомбинационно-стимулированном распаде простых комплексов примесь-собственный дефект, последующей рекомбинационно-стимулированной диффузии собственных дефектов и объединения их в сложные многочастичные комплексы - центры безызлучательной рекомбинации, проявляющиеся в металлографических исследованиях. При этом удалось объяснить возрастание при инжекции по экспоненциальному закону интенсивности свечения GaAs : Si-светодиодов, последующее снижение интенсивности свечения по закону W~(alpha t)^-2/3 и рассчитать коэффициент дефектообразования gamma~10^-9, характеризующий процесс рекомбинационного распада простых комплексов. Анализируются элементарные физические механизмы, способные объяснить полученные параметры рекомбинационно-стимулированного процесса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.