Методами спектроскопии поверхностной фотоэдс и фотолюминесценции выполнены спектроскопические исследования центров фоточувствительности тонких пленок CdSe регистрирующих систем типа инжекционный сенсибилизатор-термопластик. Показано, что для пленок, выращенных в условиях, близких к условиям роста монокристаллов (вакуумное испарение в квазизамкнутом объеме), и обладающих высокой фоточувствительностью, центры фоточувствительности могут быть отождествлены с r-центрами медленной рекомбинации с энергией ионизации 1.26 эВ, отвечающими в монокристаллах за высокий квантовый выход фотогенерации носителей заряда. Центры обусловлены вакансиями кадмия, возникающими в результате термохимической сенсибилизации пленок CdSe после их выращивания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.